各位研友想知道2025天津理工大学考研各专业怎么复习？大纲是什么？请关注各院校2025硕士研究生考研大纲。今天，考研营小编整理了“2025考研大纲：天津理工大学2025年考研自命题科目 821半导体物理 考试大纲”的相关内容，祝您考研顺利！
附件 3：
天津理工大学 2025 年硕士研究生入学初试考试大纲
学院（盖章）： 集成电路科学与工程学院
考试科目名称： 半导体物理
一、考试方式 考试采用笔试方式，考试时间为 180 分钟 ，试卷满分为
150 分。 二、试卷结构与分数比重 试题分为名词解释、简答题、证明题、计算题、论述题等。其中 ：名词解释占 20%，简答题占 30%，证明
题占 10%，计算题占 10%，论述题占 30%。 三、考查的知识范围 1．半导体中的电子状态（10％）：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征 半导体的导电机制、
空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。 2．载流子的统计分布（15％）：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，
杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载 流子的统计分布。 3．半导体的导电性（15％）：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移 率与杂质浓度和温度的关系，玻
尔兹曼方程；强电场效应，热载流子。 4．非平衡载流子（20％）：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级， 复合理
论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。 5
．PN 结（15 ％）： PN 结及其能带图，PN 结电流电压特性。 6．金属和半导体的接触（10％）：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注入，欧姆接触。 7．半导体表面与 MIS 结构（15 ％）： 表面电场效应，理想与非理想的 MIS 结构的 C-V 特性， Si-SiO 2
系统的性质，表面电导。 四、参考书目 《半导体物理学》（第 7 版 ）， 刘恩科主编，电子工业出版社，2017 年 |
学院研究生招生领导小组组长签字：
以上就是小编整理的“2025考研大纲：天津理工大学2025年考研自命题科目 821半导体物理 考试大纲”的全部内容，更多关于天津理工大学研究生考试大纲,821半导体物理考研大纲的信息，尽在“考研大纲”栏目，下面我们一起来看看吧！
