首页 > 院校资讯 > 考研大纲 >

2024考研大纲:大连理工大学2024年考研自命题科目 805 半导体物理 考试大纲

众所周知,考研大纲是全国硕士研究生考试命题的重要依据,也是考生复习备考必不可少的工具书。今天,小编为大家整理了“2024考研大纲:大连理工大学2024年考研自命题科目 805 半导体物理 考试大纲”的相关内容,谢谢您的关注。

大连理工大学2024年硕士研究生入学考试大纲

科目代码:805 科目名称:半导体物理

主要内容如下:

晶体结构周期性、对称性、布拉伐格子、倒格子、晶向及其标志、晶面及其标志、常见晶体的晶体结构。

固体结合力的一般性质、离子性结合、共价键结合、金属性结合、范德瓦尔斯结合

一维单原子链振动、一维双原子链振动、玻恩/卡门边界条件、布里渊区、格波、声子概念、晶格中的缺陷和杂质。

布洛赫定理、布里渊区、近自由电子近似、紧束缚近似、晶体能带对称性、能态密度、费米面、价带、导带、禁带、载流子。

晶体中电子在外力作用下状态的变化、准动量、加速度和有效质量

恒定电场、磁场作用下,晶体中电子的运动。

导体、绝缘体和半导体的能带理论解释。

费米统计、费米分布函数、功函数、接触电势。

半导体的基本能带结构、带边有效质量、杂质杂质能级杂质补偿效应和自补偿效应

半导体中载流子的状态密度、导带电子密度、价带空穴密度、本征半导体、杂质半导体和简并半导体。

半导体中的载流子散射、电导现象和霍耳效应。

半导体中非平衡载流子的产生和复合、载流子的连续性方程、非平衡载流子的连续性方程、非平衡载流子的扩散与漂移。

半导体中金属/半导体接触的整流现象、pn结及其整流现象、异质结。

半导体表面态与表面空间电荷区、表面场效应现象和MIS结构、MOS的电容/电压特性金属和半导体功函数差及氧化物中电荷对MOS电容/电压特性影响。

参考书目:

1、《半导体物理》(第七版)刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社,ISBN:978-7-121-06366-4;

2、《固体物理学》黄昆原著,韩汝琦改编,高等教育出版社,ISBN:9787040010251

以上就是小编整理的“2024考研大纲:大连理工大学2024年考研自命题科目 805 半导体物理 考试大纲”的全部内容,更多关于大连理工大学2024年考研大纲的信息,尽在“考研大纲”栏目,希望对大家有所帮助!

阅读全文
标签: 大连理工大学2024年考研大纲

热门问答

热门资讯

首页 报考 备考 院校 专业 复试 调剂 问答