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887 集成电路工程基础
考试内容
(1)电子技术基础部分
二极管的特性、模型及应用。BJT、FET的工作原理,BJT、FET放大电路的组成、小信号模型分析法,各组态放大电路的性能分析,多级放大电路、差动放大电路的结构与指标分析。频率响应的概念,放大电路频率响应的分析。集成运算放大器的特性,反馈的基本概念,反馈分类与判别,负反馈对放大电路性能的影响,集成运算放大器构成的运算电路、滤波电路。
(2)半导体物理部分
主要包含半导体中的电子状态;半导体中的电子状态和能带、电子的运动,本征半导体的导电机构、空穴,硅和锗的能带结构;半导体中的杂质和缺陷能级,硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级;半导体中载流子的统计分布、状态密度,费米能级、载流子浓度的计算,简并半导体;载流子的位移与扩散运动,载流子的散射、迁移率、电阻率、热载流子、多能谷散射;非平衡载流子的注入,复合寿命,费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的迁移运动,爱因斯坦关系,连续性方程;PN结的伏安特性,PN结电容,击穿;金属和半导体的接触的理论,少子的注入与欧姆接触;表面态,表面场效应,C-V特性,表面电场对PN结特性的影响;半导体的光学性质,光电性质,发光现象,半导体激光器;半导体的热电性质,温差电动势率,热电效应及其应用;半导体磁效应和压阻效应。
题型及分值安排
题型:选择题、简答题和计算题。
分值安排:电子技术基础部分占50分,半导体物理部分占100分。
参考书目
1.《电路与模拟电子学基础》,清华大学出版社,杜慧茜,马志峰,邓小英,吴琼之,2022年,或《电子技术基础-模拟部分》(第6版)》,高等教育出版社,康华光,2013年。(电子技术基础部分两本参考书可任选其一)
2.《半导体物理学(第7版)》,电子工业出版社,刘恩科,朱秉升,罗晋生等,2017年。
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