首页 > 院校资讯 > 考研大纲 >

2023考研大纲:天津理工大学2023年考研自命题科目 821半导体物理 考试大纲

众所周知,考研大纲是全国硕士研究生考试命题的重要依据,也是考生复习备考必不可少的工具书。今天,小编为大家整理了“2023考研大纲:天津理工大学2023年考研自命题科目 821半导体物理 考试大纲”的相关内容,祝您考研成功!

附件3:

天津理工大学2023年硕士研究生入学初试考试大纲

学院(盖章): 集成电路科学与工程学院

考试科目名称: 半导体物理

一、考试方式

考试采用笔试方式,考试时间为180分钟,试卷满分为150分。

?

二、

试卷结构与分数比重

试题分为名词解释、简答题、证明题、计算题、论述题等。其中:名词解释占20%,简答题占

3

0%,证明题占10%,计算题占

1

0%,论述题占

3

0%。

?三、考查的知识范围

1.半导体中的电子状态(10%):能带论,半导体中的电子运动、有效质量,本征半导体的导电机制、空穴,锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。

2.载流子的统计分布(15%):状态密度,费米能级和载流子的统计分布,本征半导体的载流子浓度,杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。

3.半导体的导电性(15%):载流子的漂移运动,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,玻尔兹曼方程;强电场效应,热载流子。

4.非平衡载流子(20%):非平衡载流子的注人与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动、连续性方程。

5.PN结(15%):PN结及其能带图,PN结电流电压特性。

6.金属和半导体的接触(10%):金属和半导体接触的整流理论,少数载流子的注入,欧姆接触。

7.半导体表面与MIS结构(15%):表面电场效应,理想与非理想的MIS结构的C-V特性,Si-SiO

2

系统的性质,表面电导。

四、参考书目

《半导体物理学》(第7版),刘恩科主编,电子工业出版社

学院研究生招生领导小组组长签字:

以上就是小编整理的“2023考研大纲:天津理工大学2023年考研自命题科目 821半导体物理 考试大纲”的全部内容,更多关于天津理工大学2023年考研大纲的信息,尽在“考研大纲”栏目,定会对大家有所帮助!

阅读全文
标签: 天津理工大学2023年考研大纲

推荐课程

热门问答

热门资讯

首页 报考 备考 院校 专业 复试 调剂 问答